SCT2080KEC

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

+22V, -6V

فناوری

SiCFET (Silicon Carbide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-247-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 4.4mA

دمای عملیاتی

175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

117mOhm @ 10A, 18V

قطع قدرت (حداکثر)

262W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-247

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

106nC @ 18V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

1200V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2080pF @ 800V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

40A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

18V