R6520KNZ4C13

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-247-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5V @ 630µA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

205mOhm @ 9.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

231W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-247

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

40nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

650V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1550pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

20A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V