MTM131270BBF

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±10V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.1V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

قطع قدرت (حداکثر)

700mW (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

Mini3-G3-B

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

300pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

2A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

1.8 V, 4V