NTHD2110TT1G

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±8V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SMD, Flat Lead

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

850mV @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

1.1W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

ChipFET™

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

14nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

12V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1072pF @ 6V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

4.5A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V