Menu Navigation

NCP5181DR2G
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

NCP5181DR2G

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC


تولید کننده: ON Semiconductor

دیتاشیت: NCP5181DR2G

قيمت:

USD $0.94

سهام: 78 pcs

پارامتر محصول

سری
-
نوع گیت
N-Channel MOSFET
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
نوع ورودی
Non-Inverting
وضعیت بخشی
Active
نوع کانال
Independent
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره قسمت پایه
NCP5181
ولتاژ - عرضه
10V ~ 20V
تعداد رانندگان
2
پیکربندی رانده شده
Half-Bridge
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
ظهور / زمان سقوط (تایپ)
40ns, 20ns
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
ولتاژ منطق - VIL، VIH
0.8V, 2.3V
ولتاژ جانبی بالا - حداکثر (Bootstrap)
600V
جریان - خروجی قله (منبع، سینک)
1.4A, 2.2A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: