MTP12P10G

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

-65°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

75W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220AB

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

50nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

920pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

12A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V