APT5010B2FLLG

پارامتر محصول

---

سری

POWER MOS 7®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-247-3 Variant

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5V @ 2.5mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

100mOhm @ 23A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

520W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

T-MAX™ [B2]

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

95nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4360pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

46A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V