VP0106N3-G

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

8Ohm @ 500mA, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

1W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-92-3

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

60pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

250mA (Tj)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V