SPU11N10

پارامتر محصول

---

سری

SIPMOS®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 21µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

50W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

P-TO251-3-1

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

18.3nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

400pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

10.5A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V