IPT111N20NFDATMA1

پارامتر محصول

---

سری

OptiMOS™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerSFN

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 267µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

11.1mOhm @ 96A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

375W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

PG-HSOF-8-1

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

87nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

200V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

7000pF @ 100V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

96A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V