62-0063PBF

پارامتر محصول

---

سری

HEXFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±12V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.9V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

2.5W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

8-SO

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

40nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

12V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2550pF @ 6V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

15A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V