MMIX1F180N25T

پارامتر محصول

---

سری

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

24-PowerSMD, 21 Leads

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5V @ 8mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

570W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

24-SMPD

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

364nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

250V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

23800pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

132A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V