IXFN100N10S3

پارامتر محصول

---

سری

HiPerFET™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Chassis Mount

بسته / مورد

SOT-227-4, miniBLOC

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 4mA

دمای عملیاتی

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

15mOhm @ 500mA, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

360W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-227B

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

180nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4500pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

100A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V