IXBT42N170

پارامتر محصول

---

سری

BIMOSFET™

نوع IGBT

-

بسته بندی

Tube

نوع ورودی

Standard

شارژ گیت

188nC

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

360W

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

وضعیت آزمون

-

شماره قسمت پایه

IXB*42N170

سوئیچینگ انرژی

-

Td (روشن / خاموش) @ 25 درجه سانتی گراد

-

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-268

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

زمان بازیابی معکوس (trr)

1.32µs

جریان گردآورنده (Ic) (حداکثر)

80A

جریان - گردآورنده پالسی (Icm)

300A

ولتاژ - گردآورنده Emitter شکست (حداکثر)

1700V