IXFH6N100F

پارامتر محصول

---

سری

HiPerRF™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-247-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5.5V @ 2.5mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.9Ohm @ 3A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

180W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-247 (IXFH)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

54nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

1000V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1770pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

6A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V