IXFH12N100F — تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید

IXFH12N100F

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

تولید کننده: IXYS-RF

دیتاشیت: IXFH12N100F

قيمت:

USD $9.08

سهام: 3 pcs

پارامتر محصول

سری

HiPerRF™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3P-3 Full Pack

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5.5V @ 4mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.05Ohm @ 6A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

300W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-247AD (IXFH)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

77nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

1000V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2700pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

12A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V

همچنین ممکن است علاقمند باشید به:

IXFH100N25P

$7.85

IXFH100N30X3

$9.95

IXFH102N15T

$4.68

IXFH10N100

$0.35

آدرس ایمیل

نام شخص

کشور

تلفن همراه

شرکت

پیام