IXDN602SI

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع گیت

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

بسته بندی

Tube

نوع ورودی

Non-Inverting

وضعیت بخشی

Active

نوع کانال

Independent

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

ولتاژ - عرضه

4.5V ~ 35V

تعداد رانندگان

2

پیکربندی رانده شده

Low-Side

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

ظهور / زمان سقوط (تایپ)

7.5ns, 6.5ns

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOIC-EP

ولتاژ منطق - VIL، VIH

0.8V, 3V

جریان - خروجی قله (منبع، سینک)

2A, 2A