Menu Navigation

IXDI602SITR
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

IXDI602SITR

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT


تولید کننده: IXYS Integrated Circuits Division

دیتاشیت: IXDI602SITR

قيمت:

USD $0.93

سهام: 24 pcs

پارامتر محصول

سری
-
نوع گیت
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
نوع ورودی
Inverting
وضعیت بخشی
Active
نوع کانال
Independent
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ولتاژ - عرضه
4.5V ~ 35V
تعداد رانندگان
2
پیکربندی رانده شده
Low-Side
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
ظهور / زمان سقوط (تایپ)
7.5ns, 6.5ns
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC-EP
ولتاژ منطق - VIL، VIH
0.8V, 3V
جریان - خروجی قله (منبع، سینک)
2A, 2A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: