IXDI602SIA — تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید

IXDI602SIA

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

تولید کننده: IXYS Integrated Circuits Division

دیتاشیت: IXDI602SIA

قيمت:

USD $1.32

سهام: 750 pcs

پارامتر محصول

سری

-

نوع گیت

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

بسته بندی

Tube

نوع ورودی

Inverting

وضعیت بخشی

Active

نوع کانال

Independent

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ولتاژ - عرضه

4.5V ~ 35V

تعداد رانندگان

2

پیکربندی رانده شده

Low-Side

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

ظهور / زمان سقوط (تایپ)

7.5ns, 6.5ns

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOIC

ولتاژ منطق - VIL، VIH

0.8V, 3V

جریان - خروجی قله (منبع، سینک)

2A, 2A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به:

IXDI402PI

$0.14

IXDI402SI

$0.18

IXDI402SIA

$0.51

IXDI404PI

$0.58

آدرس ایمیل

نام شخص

کشور

تلفن همراه

شرکت

پیام