GP1M023A050N

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

347W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-3PN

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

66nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

3391pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

23A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V