EPC2016C

پارامتر محصول

---

سری

eGaN®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

+6V, -4V

فناوری

GaNFET (Gallium Nitride)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

Die

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 3mA

دمای عملیاتی

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

16mOhm @ 11A, 5V

قطع قدرت (حداکثر)

-

بسته دستگاه تامین کننده

Die

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

4.5nC @ 5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

420pF @ 50V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

18A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

5V