CZDM1003N BK

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

2W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-223

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

15nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

975pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

3A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V