AOW29S50

پارامتر محصول

---

سری

aMOS™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Not For New Designs

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3.9V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

357W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-262

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

26.6nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1312pF @ 100V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

29A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V