AOSD62666E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویژگی FET

Logic Level Gate

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

2.5W (Ta)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.2V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

14.5mOhm @ 9.5A, 10V

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOIC

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

10nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

755pF @ 30V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

9.5A (Ta)