AONR21357

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±25V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.3V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

5W (Ta), 30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

8-DFN-EP (3x3)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

70nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2830pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

21A (Ta), 34A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V