AON3419

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SMD, Flat Lead

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

3.1W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

8-DFN (2.9x2.3)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

30nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1040pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

10A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V