AON1605_001

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±8V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

3-UFDFN

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.1V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

710mOhm @ 400mA, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

900mW (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

3-DFN (1.0 x 0.60)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

750nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

50pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

700mA (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V