AOD9N50

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-50°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

860mOhm @ 4.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

178W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-252, (D-Pak)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

24nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1160pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

9A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V