AOB411L_001

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

16.5mOhm @ 20A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

187W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-263 (D²Pak)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

100nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

6400pF @ 30V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

8A (Ta), 78A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V